SIJ478DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix SIJ478DP-T1-GE3
| Artikelnummer: | SIJ478DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
Vishay Siliconix SIJ478DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIJ478DP-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1855 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) Grundproduktnummer SIJ478 SIJ478DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SIJ478DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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